التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS : تذبذبات معاملات امتصاص أشعة أكس خارج نطاق حدود الامتصاص . إن السبب الفيزيائي للتركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS هو نتيجة لتعديل المرحلة النهائية للدالة الموجية الفوتوإلكترونية الناتجة عن الحيود الراجع من الذرات المحيطة بالذرة المثارة . يستخدم التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS لتعيين