الرئيسية » الموسوعة الكيميائية » التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS

التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS

التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS :

تذبذبات معاملات امتصاص أشعة أكس خارج نطاق حدود الامتصاص . إن السبب الفيزيائي للتركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS هو نتيجة لتعديل المرحلة النهائية للدالة الموجية الفوتوإلكترونية الناتجة عن الحيود الراجع من الذرات المحيطة بالذرة المثارة . يستخدم التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS لتعيين التراكيب في الأنظمة الكيميائية أو البيولوجية أو الحالة الصلبة ، و تستخدم تلك التقنية لدراسة الأنظمة التي يصعب فيها استخدام تقنيات الحيود . تجرى عادة تجارب التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS باستخدام إشعاعات السنكروترون (الإشعاع السنكروتروني : إشعاعات من الإلكترونات المسارعة في داخل السنكروترون) . و من الممكن تفسير تجارب التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS نظرية الإنحراف الوحيد للرتبة قصيرة المدى .

مقالات قد تفيدك :

عن Akram Amir El Ali

استاذ الكيمياء التحليلية ومصمم غرافيك

شاهد أيضاً

ثلاثي فلوريد الكلور ClF3 Chlorine trifluoride

ثلاثي فلوريد الكلور ClF3 Chlorine trifluoride مادة غازية سامة جدا و كاوية للجلد و الأسطح …

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.

هذا الموقع يستخدم Akismet للحدّ من التعليقات المزعجة والغير مرغوبة. تعرّف على كيفية معالجة بيانات تعليقك.